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Elektronische Bauelemente und Netzwerke I

Für Studenten der Elektrotechnik ab 6. Semester

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Der vorliegende Band behandelt die wesentlichen physikalischen Mechanismen, die für die Wirkungsweise von Halbleiterbauelementen entscheidend sind, anhand einfacher Beispiele. Vorausgesetzt werden die mathematischen und physikalischen Kenntnisse aus den Grundvorlesungen. Das erste Kapitel über homogen dotierte Halbleiter bietet die notwendigen Grundlagen der Halbleiterphysik. Im Abschnitt über den pn-Übergang werden Gleich- und Wechselstromverhalten, Durchbruchsmechanismen und darauf basierende Bauelemente erläutert. Die Analyse von zwei Übergängen und deren Wechselspiel führt zum Bipolartransistor, wobei neben den Strom-Spannungs-Beziehungen und Grundschaltungen auch Vierpolparameter und HF-Eigenschaften behandelt werden. Weitere Abschnitte widmen sich den physikalischen Vorgängen in Randschichten und der Funktionsweise von Feldeffekttransistoren. Im letzten Kapitel wird das Rauschen thematisiert; hier werden die mathematische Formulierung der Schwankungserscheinungen sowie die Rauschmechanismen und ihr Einfluss auf das elektrische Verhalten der Bauelemente behandelt. Für Anwendungen in elektronischen Schaltungen werden aus dem physikalischen Modell leicht handhabbare Ersatzschaltbilder entwickelt. Übungsaufgaben mit vollständigen Lösungen sind in einem weiteren Band zu finden, um dem Leser die Überprüfung seines Verständnisses zu ermöglichen.

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Elektronische Bauelemente und Netzwerke I, Hans Georg Unger, W. Schultz, G. Weinhausen

Langue
Année de publication
1979
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(souple),
État du livre
Bon
Prix
20,99 €

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Titre
Elektronische Bauelemente und Netzwerke I
Sous-titre
Für Studenten der Elektrotechnik ab 6. Semester
Langue
Allemand
Publié
1979
Format
souple
ISBN10
3528235055
ISBN13
9783528235055
Séries
Description
Der vorliegende Band behandelt die wesentlichen physikalischen Mechanismen, die für die Wirkungsweise von Halbleiterbauelementen entscheidend sind, anhand einfacher Beispiele. Vorausgesetzt werden die mathematischen und physikalischen Kenntnisse aus den Grundvorlesungen. Das erste Kapitel über homogen dotierte Halbleiter bietet die notwendigen Grundlagen der Halbleiterphysik. Im Abschnitt über den pn-Übergang werden Gleich- und Wechselstromverhalten, Durchbruchsmechanismen und darauf basierende Bauelemente erläutert. Die Analyse von zwei Übergängen und deren Wechselspiel führt zum Bipolartransistor, wobei neben den Strom-Spannungs-Beziehungen und Grundschaltungen auch Vierpolparameter und HF-Eigenschaften behandelt werden. Weitere Abschnitte widmen sich den physikalischen Vorgängen in Randschichten und der Funktionsweise von Feldeffekttransistoren. Im letzten Kapitel wird das Rauschen thematisiert; hier werden die mathematische Formulierung der Schwankungserscheinungen sowie die Rauschmechanismen und ihr Einfluss auf das elektrische Verhalten der Bauelemente behandelt. Für Anwendungen in elektronischen Schaltungen werden aus dem physikalischen Modell leicht handhabbare Ersatzschaltbilder entwickelt. Übungsaufgaben mit vollständigen Lösungen sind in einem weiteren Band zu finden, um dem Leser die Überprüfung seines Verständnisses zu ermöglichen.