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Die vorliegende Arbeit befasst sich mit den ersten Elementarschritten der Silizidbildung mittels MOCVD, namlich der Adsorption von Fe(CO)_5auf Si(111)7x7 Oberflachen bei Temperaturen zwischen 100K und 700K. Besondere Beachtung fand dabei die Wirkung von Silan [29] und das Verhalten des CO's, das bei der Dissoziation von Fe(Co)_5freigesetzt wird. Dabei soll untersucht werden, ob Silan koadsobiert werden muss, um epitaktische Schichten herzustellen.
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Adsorption von Fe(CO)5 auf Si(111)7x7-Oberflächen, Stefan Mühlbauer
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- 2002
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