Zur analogen Grosssignalaussteuerung von Feldeffekttransistoren unter Berücksichtigung des Subthreshold-Gebietes

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Inhaltsverzeichnis1. Einführung.2. Analytische und experimentelle Erfassung des analogen Großsignalbetriebs von Feldeffekttransistoren ohne Berücksichtigung dynamischer Effekte.3. Entwurf des Modells.3.1 Kennlinienmodell im Sättigungsgebiet für konstante Drain-Source-Spannung.3.2 Kennlinienmodell im Sättigungsgebiet für variable Drain-Source-Spannung.3.3 Differentielle Größen.3.4 Besonderheiten des Modells.3.5 Grenzen des Modells.4. Bestimmung der Parameter des Modells aus den gemessenen Kennlinien des Feldeffekttransistors.4.1 Bezugsspannung UDS0.4.2 Parameter Iq und ß.4.3 Parameter Uth.4.4 Parameter C.4.5 Parameter RS.4.6 Verhältnis UE/n.4.7 Parameter m und p.4.8 Parameter n, t und UE.4.9 Parameter von PNFET und MOSFET.5. Überprüfung des Modells.5.1 PNFET.5.2 MOSFET.6. Berechnung der Harmonischen des Drainstromes.7. Ermittlung der Harmonischen des Drainstromes der Sourceschaltung.7.1 Typische Kennlinien der Harmonischen des Drainstromes als Funktion der Gate-Source-Spannung.7.2 Harmonische des Drainstromes des PNFET in Sourceschaltung.7. 3 Harmonische des Drainstromes des MOSFET in Sourceschaltung.8. Zusammenfassung.9. Literatur.